FUJITSU富士通芯片存儲器庫存大量甩賣

FUJITSU富士通芯片存儲器庫存大量甩賣6MBI60FA-060 我們的優勢：存儲器是現代信息系統最關鍵的組件之一，已經形成主要由DRAM與NAND Flash構成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯時代的到來，

人工智能、智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發展，影響未來存儲器市場格局。目前，

新型存儲器主要有4種：相變存儲器（PCM），鐵電存儲器（FeRAM），磁性存儲器（MRAM）和阻變存儲器（ReRAM）。

其中，FeRAM是一種理想的存儲器，在計算機、航天航空、軍工等領域具有廣闊的應用前景，世界上許多大的半導體公司對此都十分重視。

代理品牌富士通半導體正在批量生產具有快速數據傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工

作頻率下實現每秒 54MByte 的數據傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。本產品具有高速運算和非易失性的特點，

非常適合用于需要快速數據重寫的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業計算和網絡設備。

20 多年來，富士通半導體已量產的 FeRAM 產品，與 EEPROM 和閃存相比，具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。到目前為止，這些高可靠性產品已成功應用于工業、基礎設施、消費和汽車領域。

FUJITSU富士通芯片存儲器庫存大量甩賣6MBI60FA-060 提供各產品信息服務:此外，一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲器的同時進行快速數據傳輸。我們很高興能夠通過 Quad SPI 4Mbit FeRAM 產品滿足這一要求。

MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓，在108MHz工作頻率下數據傳輸速率為54MB/s。在此產品發布之前，

具有 16 個 I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM，具有 13MB/s 的數據傳輸速度。然而，MB85RQ4ML

只有四個 I/O 管腳，讀寫數據大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3)。 其封裝為 16pin SOP，封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。

數據傳輸率比較

如果您在產品中使用閃存、EEPROM 或低功耗 SRAM，并且遇到以下任何問題，請考慮使用富士通半導體的 FeRAM 解決方案。

狀態：使用閃存 問題：由于寫入耐久性較低，軟件開發負擔較大

閃存保證幾十萬次的寫周期。如果數據被多次寫入內存中的同一區域，該區域很快就會達到保證寫入周期時間的上限。

因此，設計工程師必須開發一種名為“wear leveling"的軟件來分配內存區域中的寫入位置，以使數據不會多次寫入同一位置。

軟件開發的工作量對設計工程師來說是一個非常大的負擔。而 FeRAM 保證 10 萬億次讀/寫周期，并且數據可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內存區域。

這些功能有助于設計工程師，因為工程師不需要開發復雜的數據寫入軟件，例如磨損均衡

磨損均衡示意圖

狀態：使用 EEPROM 問題：數據寫入時間較長

EEPROM 即使是 8 位數據寫入也有 5ms 的寫入周期時間，因為它除了寫入操作之外還包括擦除操作。另一方面，FeRAM 具有較短的寫入時間，例如在 8 位數據寫入時為數百納秒，因為它不需要擦除操作（圖5）。此外，帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數據傳輸率。而富士通半導體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s，是 EEPROM 的 20 倍以上。

寫入時間比較

狀態：使用 SRAM 問題：難以取出電池并減少組件安裝面積

低功耗 SRAM 需要電池來保存數據以保存寫入的數據，但由于非易失性存儲器，FeRAM 不需要電池。然后，由于 SRAM 有 16 個 I/O 引腳，許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝，具有 4 個 I/O 引腳。這意味著，如果您將 SRAM 替換為 FeRAM，您可以通過移除電池并使用更小的封裝來減少 77% 的內存安裝面積

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6MBI60FA-060

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MB85RS128B

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MB85RC64TA

MB85RC64A

MB85RC64V

MB85RC16

MB85RC16V

MB85RC04

MB85RC04V

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MB85R8M2T

MB85R4M2T

MB85R4001A

MB85R4002A

MB85R1001A

MB85R1002A

MB85R256F

MB85AS12MT

MB85AS8MT